Difference between r1.9 and the current
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MERGE: [[반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.2]]
}
= 반도체의 bias =
번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
}
기타:
편견
...
번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
대충
인공지능,artificial_intelligence, 퍼셉트론,perceptron, 기계학습,machine_learning 및
통계,statistics esp 추정,estimation 에서 ....pagename: 편향,bias
인공지능,artificial_intelligence, 퍼셉트론,perceptron, 기계학습,machine_learning 및
통계,statistics esp 추정,estimation 에서 ....pagename: 편향,bias
반도체,semiconductor > 다이오드,diode etc 에서 .....pagename: 바이어스,bias 로 하기로 했음.
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5
순바이어스,forward_bias or 순방향바이어스,forward_bias
{
순방향 바이어스, 순바이어스, 순방향 전압, - 전류가 잘 흐르는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.1
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5
순바이어스,forward_bias or 순방향바이어스,forward_bias
{
순방향 바이어스, 순바이어스, 순방향 전압, - 전류가 잘 흐르는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.1
전류가 지수함수적으로 증가한다.
}
역바이어스,reverse_bias or 역방향바이어스,reverse_bias
{
역방향 바이어스, 역바이어스, 역방향 전압, - 전류가 흐르지 못하는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.2
}
}
역바이어스,reverse_bias or 역방향바이어스,reverse_bias
{
역방향 바이어스, 역바이어스, 역방향 전압, - 전류가 흐르지 못하는
MERGE: 반도체공학,semiconductor_engineering#s-5.2
}
기타:
편견
...
편견
...
반도체의 bias ¶
번역:
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
역방향 바이어스 / 순방향 바이어스
역바이어스 / 순바이어스 (Sedra 8e ko)
역방향 바이어스 / 순방향 바이어스
PN접합,p-n_junction의 두 단자가 개방된 상태에서는
pn접합의 내부 전위장벽에 의해 운반자,carrier가 이동할 수 없어서 pn접합에 전류가 흐르지 않는다.
이 때 DC전압을 적절히 인가하여 pn접합에 흐르는 전류를 조절하는 것을 바이어스(bias)라 한다.
pn접합의 내부 전위장벽에 의해 운반자,carrier가 이동할 수 없어서 pn접합에 전류가 흐르지 않는다.
이 때 DC전압을 적절히 인가하여 pn접합에 흐르는 전류를 조절하는 것을 바이어스(bias)라 한다.
순방향(forward) 바이어스와 역방향(reverse) 바이어스가 있다.
bias가 발생하면 pn접합,p-n_junction에 어떤 일이 생기는가? -> sungho kim 기초반도체공학 1.4 ... https://www.youtube.com/watch?v=Z6U8maV8THE
mklink { pn접합,p-n_junction 공핍영역,depletion_region 공핍층,depletion_layer }
tbw: {
순과 역에 대해 energy band diagram energy_band diagram 필요.
저 때 전위장벽,potential_barrier = 장벽전위,barrier_potential에 대해 언급 필요.
그리고 역바이어스에 대해서는
항복 breakdown
접합항복 junction_breakdown
그 시점인 항복전압 breakdown_voltage = 절연파괴전압 ... curr at VG
}
mklink { pn접합,p-n_junction 공핍영역,depletion_region 공핍층,depletion_layer }
tbw: {
순과 역에 대해 energy band diagram energy_band diagram 필요.
저 때 전위장벽,potential_barrier = 장벽전위,barrier_potential에 대해 언급 필요.
그리고 역바이어스에 대해서는
항복 breakdown
접합항복 junction_breakdown
그 시점인 항복전압 breakdown_voltage = 절연파괴전압 ... curr at VG
}
(추가)
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- [1] Source: 신경욱 http://kocw.net/home/cview.do?cid=c908683a6462eac7 3. 0m